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- 에이프로세미콘, 1200V급 GaN 에피웨이퍼로 중기부 '스케일업팁스' 선정 에이프로세미콘이 '8인치 1200V급 GaN-on-Si 에피웨이퍼 제조기술 개발 및 HEMT 소자 적용 검증'을 주제로 중소벤처기업부 '스케일업 팁스'(TIPS)에 선정됐다고 18일 에이프로세미콘은 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 특
- 경북대, 질화갈륨 전자소자 세계 최초 '700㎓ 주파수 장벽' 돌파 경북대학교는 김대현 전자공학부 교수팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742㎓를 기록한 45㎚급 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다고 23일 밝혔다. GaN HEMT에서 최대 발진 주파수가 700㎓를 초과한 것은 세계 최초이다.
- 경북대, 세계 최초 700GHz 돌파 GaN 반도체 개발…6G·국방 반도체 새 이정표 꼽히는 초고주파 반도체 분야에서 세계 기록을 갈아치웠다.경북대는 전자공학부 김대현 교수 연구팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 구현한 45나노미터(nm)급 질화갈륨(GaN ) 고전자이동도트랜지스터(HEMT)를 개발했다고 23일 밝혔다.이번 성과는 지난 18일(현지시간) 미국 하와이...
- 지구 3분의 1 감시하는 中 위성의 비밀은 [우주로 간다] 루디 톈스 4-01(이하 루디)'은 현재까지 발사된 감시 위성 가운데 가장 높은 고도에서 운용되는 레이더 위성이다.최근 이 위성의 핵심 기술이 중국이 사실상 독점하고 있는 질화갈륨(GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT)를 적용한 고체 전력증폭기를 개발했다.
- 파라피에이, X-band 송수신 모듈용 MMIC 2종 국산화 성공 [지디넷코리아]국방 반도체 팹리스 전문기업 파라피에이는 X-band 송수신 모듈(TRM)의 핵심 부품인 15W급 질화갈륨(GaN) 전력증폭기 마이크로파 집적회로(MMIC)와 2단 자기바이어스 HEMT 공정 기반의 15W급 고출력 증폭기로, U사의 기준제품과 호환되도록 설계돼 기존 시스템에 별도의 회로 변경 없이 그대로 대체 적용할 수 있다.
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- 세계 최초 700GHz 돌파 GaN 반도체 개발 에피웨이퍼 전문 기업인 아이브이웍스(iVWorks), ETRI, KAIST 등이 공동 연구를 통해 세계 최초로 최대 발진 주파수($f_{max}$) 700GHz 장벽을 돌파한 질화갈륨(GaN 주요 핵심 성과 세계 최고 속도 달성: 45나노미터(nm)급 GaN HEMT(고전자 이.......