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• 삼성, HBM·낸드 혁신 가속…차세대 3D 메모리 신기술 첫 공개 웨이퍼 본딩과 3-스택(Stack) 기술을 적용해 메모리 집적도를 이전 세대(V9)보다 약 58% 높였으며, 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 개선했다. 이 같은 메모리 신제품·기술들을 토대로 삼성전자는 글로벌 시장 지배력을 더욱 확대할 전망이다. www.nocutnews.co.kr · 2026.08.05