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로옴, 1005 사이즈 서지 보호 칩 저항기 개발...업계 최고 수준의 정격전력 실현
로옴(ROHM)은 자동차·산업·소비자기기와 AI 서버 등 고밀도 실장이 요구되는 전자기기용 서지 보호 칩 저항기 'SDR01 시리즈'를 개발했다고 밝혔다.
www.etnews.com · 2026.08.20
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로옴, 발진 출력 4배 높인 2세대 테라헤르츠파 발진 디바이스 개발
로옴(ROHM)은 반도체 소자인 공명 터널 다이오드(Resonant Tunneling Diode, RTD)를 사용한 테라헤르츠파 발진 디바이스의 제2세대 제품을 개발했다고 밝혔다.
www.etnews.com · 2026.08.04
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로옴, SiC MOSFET용 상면 방열 패키지 개발...고방열·고내압 동시 구현
로옴(ROHM) 주식회사는 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발했다고 밝혔다.
www.etnews.com · 2026.07.09
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로옴, 1005 사이즈 서지 보호 칩 저항기 'SDR01 시리즈' 개발
[지디넷코리아]글로벌 반도체·전자부품 기업 로옴(ROHM)이 고밀도 실장 환경에 최적화된 초소형·고전력 칩 저항기 신제품을 선보였다.로옴은 인공지능(AI) 서버, 자동차, 산업기기,
zdnet.co.kr · 2026.08.20
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로옴, 업계 최고 수준의 저손실 실현한 650V 내압 IGBT 개발
로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT를 개발했다.
www.etnews.com · 2026.06.18
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로옴, 600V 내압 Super Junction MOSFET 신제품 개발…고방열 표면실장 패키지 적용
주식회사 로옴(ROHM)은 600V 내압 Super Junction MOSFET 신제품인 'R60xxXNx 시리즈'와 'R60xxWNx 시리즈'를 개발했다고 밝혔다.
www.etnews.com · 2026.06.11
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로옴, 2세대 테라헤르츠파 발진 디바이스 개발…발진 출력 4배 향상
[지디넷코리아]글로벌 반도체 기업 로옴(ROHM)이 성능을 높인 테라헤르츠파 발진 디바이스 2세대 제품을 개발했다.로옴은 공명 터널 다이오드(RTD) 기술을 적용한 테라헤르츠파 발진
zdnet.co.kr · 2026.08.04
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로옴, 초소형 승강압 전원기판 개발…IoT·웨어러블 시장 겨냥
[지디넷코리아]글로벌 반도체 기업 로옴(ROHM)이 배터리로 구동되는 웨어러블 및 IoT 기기의 초소형화·저전력화를 견인할 새로운 전원 솔루션을 선보였다.로옴은 고효율과 초저소비전류를
zdnet.co.kr · 2026.06.23
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로옴, 상면 방열 패키지 적용한 차세대 SiC MOSFET 개발 양산
[지디넷코리아]전력 변환 디바이스의 열 관리 한계를 극복하고 자동 실장 편의성까지 극대화한 차세대 탄화규소(SiC) 전력 반도체 패키지가 등장했다.글로벌 반도체 기업 로옴(ROHM)
zdnet.co.kr · 2026.07.09
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로옴, '저손실·고내성' 650V 내압 4세대 IGBT 개발
[지디넷코리아]로옴(ROHM)이 디바이스 구조를 개선해 전력 손실을 줄이고 내구성을 높인 차세대 전력 반도체를 선보였다.
zdnet.co.kr · 2026.06.19
