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• CXMT는 64레이어 3D DRAM 테스트 장비를 사용하여 500Mb/mm2 이상의 성능을 목표로 합니다. 이 설계는 ~1E8의 높은 온/오프 전류비(Ion/Ioff), ~93mV/dec의 가파른 문턱 이하 기울기(SS), 그리고 0.76V의 적절한 문턱 전압(Vt)을 갖는 우수한 특성을 본 논문에서는 붕소 규산염 유리(BSG)/인 규산염 유리(PSG) 캡핑 도핑, 이중 게이트 형성, 채널 두께 최적화 및 소자 전기 공학....... blog.naver.com · 2026.06.27