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• 실리콘 상의 수직형 GaN 디바이스 실현의 길을 여는 저저항 버퍼층 개발 #GaN #수직형질화갈륨 #NIMS #인포마켓 #강용운 https://www.nims.go.jp/press/2026/06/202606150.html 실리콘 상의 수직형 GaN 디바이스 이 신기술인 '비정질 유사 중간층(AL-IL, Amorphous-Like Intermediate Layer)'은 Si와 질소(N)로 이루어진 초박막을 통해 Si와....... blog.naver.com · 2026.06.17