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- 구형 D램, 50% 뛴다 HBM 쏠림이 부른 메모리 역풍 구형 D램 폭등의 주요 원인 웨이퍼 소모량의 격차 (HBM의 구축 효과) HBM은 TSV(실지콘 관통 전극) 기술과 수직 적층 공정의 특성상 동일 용량 기준 범용 D램 대비 약 3배 메모리 제조사들이 수익성이 높은 HBM3E/HBM4 및 최신 DDR5 라인에 라인 설비를 최우선 배정하면서, 구형 DDR4 및 LPDDR4 생산에 배정될 웨이퍼 투입량이 급감했습니다
- 2H27 NAND 가격 하락 전망 최근 주가 조정 원인 및 전망 NAND 가격 하락 우려가 주요 원인임: 최근 반도체 업종 주가는 고점 대비 30% 전후 조정을 받았으며, 이는 2027년 하반기 NAND 가격 하락 HBM4 가격 협.......
- 엔비디아 '베라 루빈' 출시 지연, 투자자에게 미칠 영향은? 출시 지연 이슈와 대응책 지연 원인: 열 분산 덮개 문제 및 HBM4 메모리 인증 지연 등이 언급되고 있습니다.
- 한미반도체 어닝쇼크, 시총 35조인데 분기 영업이익이 고작 84억? 왜 이렇게 됐나: 하락의 원인 ① HBM4 납품 지연 (핵심) 가장 직접적인 원인은 엔비디아(NVIDIA) 등에 HBM4 납품이 늦어지면서, 신장비인 TC본더4 공급이 연쇄적으로 지연된