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• 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑ [지디넷코리아]삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용한다. HBM4부터 메모리 공정 대신 파운드리 최선단 공정이 적용되며 HBM 전체 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. zdnet.co.kr · 2026.07.27