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• 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑ [지디넷코리아]삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용한다. HBM4부터 메모리 공정 대신 파운드리 최선단 공정이 적용되며 HBM 전체 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. zdnet.co.kr · 2026.07.27

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• [7월 5일] 삼성전자, AI반도체 '승부수' 던졌다…'HBM팀' 출격 조직개편 삼성 DS부문장 취임 50일 AI반도체 주도권 쥐려 승부수 HBM3E·HBM4 개발 주력할 듯 최첨단패키징 AVP개발팀 독립 전 부회장 직속으로 편입 주목 삼성전자의 ‘HBM 태스크포스(TF) 형태로 흩어져 있던 고대역폭메모리(HBM) 전문 인력을 메모리사업부로 합치면서다. blog.naver.com · 2024.07.05