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- 에이프로세미콘, 1200V급 GaN 에피웨이퍼로 중기부 '스케일업팁스' 선정 에이프로세미콘이 '8인치 1200V급 GaN-on-Si 에피웨이퍼 제조기술 개발 및 HEMT 소자 적용 검증'을 주제로 중소벤처기업부 '스케일업 팁스'(TIPS)에 선정됐다고 18일 에이프로세미콘은 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 특
- 지니틱스, GaN 전력반도체 구동IC 개발 착수 [서울=뉴스핌] 이나영 기자= 팹리스 반도체 기업 지니틱스가 국책과제를 통해 차세대 GaN 전력반도체 구동IC 개발에 나선다고 16일 밝혔다.
- 아이언디바이스, '전기차용 GaN 파워모듈' 국책과제 선정 혼성신호 반도체 팹리스 기업 아이언디바이스(464500)가 전기자동차용 차세대 전력반도체 기술 개발 국책과제에 참여하며 GaN(질화갈륨) 기반 파워모듈 시장 공략에 나선다.아이언디바이스는
- 에이프로세미콘, 8인치 GaN 에피웨이퍼 앞세워 글로벌 시장 공략 GaN(질화갈륨) 전력반도체 전문기업 에이프로세미콘(이하 세미콘)이 국내 최초 8인치 GaN-on-Si 에피웨이퍼 양산체계 구축을 기반으로 글로벌 시장 공략에 박차를 가하고 있다고
- 경북대, 세계 최초 700GHz 돌파 GaN 반도체 개발…6G·국방 반도체 새 이정표 꼽히는 초고주파 반도체 분야에서 세계 기록을 갈아치웠다.경북대는 전자공학부 김대현 교수 연구팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 구현한 45나노미터(nm)급 질화갈륨(GaN
- 웨이비스, KDDX 다기능레이더용 국산 반도체·송신모듈 공급 웨이비스는 레이더 체계 수요자의 요구 사양에 맞춰 S대역 고출력 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 개발했으며, 이를 적용한 송신모듈과 함께 KDDX 다기능레이더 시스템에 공급한다고 10일
- DB하이텍, '일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가…현지 팹리스 공략 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회다.DB하이텍은 이번 전시회에서 주력인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN DB하이텍은 최근 1200V SiC MOSFET 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며, 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다.
- 웨이비스, 과기부 AI 원스톱 바우처 주관기업 선정 [서울=뉴스핌] 이나영 기자= RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체 전문기업 웨이비스가 과학기술정보통신부가 주관하는 '2026년 AI(인공지능) 전환 원스톱 바우처 지원사업'의 주관기업으로 웨이비스는 네이버클라우드, 인프라닉스 등과 컨소시엄을 구성해 'AI 기반 GaN 공정 수율 관리 SaaS 플랫폼(YMS)...
- 경북대, 질화갈륨 전자소자 세계 최초 '700㎓ 주파수 장벽' 돌파 경북대학교는 김대현 전자공학부 교수팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742㎓를 기록한 45㎚급 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다고 23일 밝혔다. GaN HEMT에서 최대 발진 주파수가 700㎓를 초과한 것은 세계 최초이다.
- 매그나칩, 채 리 신임 CEO 선임…전력반도체 경쟁력 강화 이끈다 최근까지 GaN 전력반도체 기업인 Tagore Technology의 CEO를 역임했으며, 그 이전에는 InSyte Systems, NXP Semiconductors, Maxim Integ
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