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  • 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑ 부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 기고문에서 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA ) 구조를 적용한 2나노 공정을 도입하고 더욱 높은 집적도 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 계획"이라고 밝혔다.베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU) zdnet.co.kr · 2026.07.27
  • 삼성전자 "파운드리 사업, 2028년 연간 흑자전환" 동시에 한 사장은 모바일 중심 사업구조 탈피 지연, 기술 완성도 부족, 낮은 수익성의 수주 구조, 성숙(레거시) 공정 운영 전략 미흡 등을 저조한 수익성 이유로 지목했다. 삼성전자 파운드리는 최근 수익성이 개선되고 있다. 2나노미터(nm) 첨단 공정의 수율 향상과 4·8나노 등 성숙 공정 가동률 증가가 주된 이유다.삼성전자는 2나노 GAA(게이트올어라운드 zdnet.co.kr · 2026.06.12

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