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- 삼성전자 반도체 선폭의 역사 삼성전자의 반도체 선폭(미세공정 노드) 역사는 "기술적 물리 한계를 극복하기 위해 트랜지스터의 패러다임을 바꾼 구조 혁신의 역사"라고 볼 수 있습니다. DRAM 메모리와 파운드리(시스템 반도체) 분야를 축으로, ㎛(마이크로미터) 단위에서 시작해 nm(나노미터) 시대를 거쳐 GAA 기반의 2nm/1.4nm로 이어지는 주요 변천 과정을
- 삼성 세계 첫 3나노 반도체 양산, 17곳 규제지역 해제, LG.SM 홈트 동맹, 노량진 한강변 거점 외 전력소모 45%↓·성능 25%↑ 대만 TSMC 앞설 기반 다져 https://n.news.naver.com/article/015/0004718951 삼성전자가 3나노 게이트올어라운드(GAA ) 공정 양산에 돌입하면서 반도체 트랜지스터 구조 대전환에 성공했다.
- [2022 국내 10대 이슈]삼성·TSMC 3나노 양산 개시 플라나, 핀펫, GAA 트랜지스터 구조도(사진=삼성전자) 새해는 차세대 반도체 공정 전쟁이 시작된다. GAA는 10여년간 트랜지스터 구조 대세로 자리 잡은 핀펫 구조 대비 전류 제어 효율성이 크게 개선된다.
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- 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑ 부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 기고문에서 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA ) 구조를 적용한 2나노 공정을 도입하고 더욱 높은 집적도 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 계획"이라고 밝혔다.베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU)
- 삼성전자 "파운드리 사업, 2028년 연간 흑자전환" 동시에 한 사장은 모바일 중심 사업구조 탈피 지연, 기술 완성도 부족, 낮은 수익성의 수주 구조, 성숙(레거시) 공정 운영 전략 미흡 등을 저조한 수익성 이유로 지목했다. 삼성전자 파운드리는 최근 수익성이 개선되고 있다. 2나노미터(nm) 첨단 공정의 수율 향상과 4·8나노 등 성숙 공정 가동률 증가가 주된 이유다.삼성전자는 2나노 GAA(게이트올어라운드