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- 삼성전자 "HBM5는 2나노"…파운드리 기술력 '자신감' [서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5에 2나노(GAA) 공정을 적용하며 인공지능(AI) 반도체 시장 공략을 강화한다.
- 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 2나노 공정 추진…“속도 50% 향상 필요” 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 베이스다이에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노(㎚) 공정을 선제 도입한다.
- 삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑ 부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 기고문에서 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA
- "갤럭시 S26 FE 벤치마크 등장…엑시노스 2500 칩 확인" 미국 출시 모델(SM-S741U)은 싱글코어 2426점, 멀티코어 8004점을 기록한 것으로 나타났다.벤치마크 자료에 따르면 갤럭시S26 FE에는 삼성 파운드리의 3나노 GAA 공정으로
- 삼성전자 "파운드리 사업, 2028년 연간 흑자전환" 삼성전자 파운드리는 최근 수익성이 개선되고 있다. 2나노미터(nm) 첨단 공정의 수율 향상과 4·8나노 등 성숙 공정 가동률 증가가 주된 이유다.삼성전자는 2나노 GAA(게이트올어라운드
- 니어필드 인스트루먼트, 3.8억달러 시리즈 D 투자 유치 니어필드는 "고수치개구수 극자외선(High-NA EUV), 게이트올어라운드(GAA), 상보형 전계효과 트랜지스터(CFET) 아키텍처 및 하이브리드 본딩 기반 3D 집적에 필요한 계측