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- 반도체 Study[1] - 2023.01.10. # 2021년의 반도체 기술 변화 **DRAM 삼성전자 1z node EUV 1 Layer적용. 1a부터는 4 Layer로 ㅗ학장 SK하이닉스 M16에 1a node EUV 1 Layer 이에 따라 Krf PR, SiC Ring 수요 증가 **Logic : 3nm EUV MP + GAA Architecture 벼노하 인텔의 FINFET 구조가 GAA 구조로 본격 변화할
- 5. 내부 메모리 DRAM : 전기를 통해 충전하는 방식을 이용하여 데이터를 저장한다. → 만들기 쉽고 작다. 가격기 저렴하고 용량이 크다. 출처: “Computer Organization and Architecture”, 10/e, by William Stallings