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• HBM 넘어 3D D램·HBF로…SK하이닉스, AI 병목 깰 ‘메모리 계층’ 재편 AI) 추론 시장의 전력 및 성능 병목을 해결하기 위해 전체 메모리 계층 구조를 재설계하는 차세대 기술 청사진을 공개했다.SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO)은 ‘SEDEX 2026 안 사장은 고성능 메모리(HBM) 기술력을 지속적으로 다지는 한편, 3차원 적층 D램(3D Stacked DRAM)과 고대역폭 플래시(HBF) 등 신규 메모리 계층을 도입해 AI 인프라 www.donga.com · 2026.10.14
• 코윈, FMS 2026에서 전 제품군 스토리지 포트폴리오 공개: 고성능 스토리지 제품으로 AI 혁신 견인 스토리지(Embedded Storage), SSD, DRAM 모듈(DRAM Module), 이동식 저장 장치(Removable Storage)를 아우르는 전 제품군 스토리지 포트폴리오를 코윈은 FMS 2026 참가를 통해 지능형 세상을 이끄는 초고신뢰성의 혁신적인 스토리지 솔루션을 제공하겠다는 의지를 다시 한번 확인했다. zdnet.co.kr · 2026.08.08
• "칩 구동까지 단 4주"…SAFE 포럼서 본 K-반도체 속도 박성현 리벨리온 대표는 1일 서울 서초동 삼성전자 서초사옥에서 열린 '세이프(SAFE) 포럼 코리아 2026' 기조연설에서 삼성 파운드리 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 조명현 세미파이브 대표는 "로직과 메모리를 수직 결합하는 '로직 온 D램(Logic-on-DRAM)' 기반 3D-IC 플랫폼을 통해 초거대 AI의 메모리 병목 현상을 해결할 것"이라고 zdnet.co.kr · 2026.07.01
• '삼전닉스'가 1000조 투자하는 HBM, 딥시크 논문 한 편의 균열 양쯔메모리(YMTC) 는 2026년 5월 19일 상하이 과학기술혁신판(STAR Market, 科创板) 상장을 위한 지도 감사를 정식으로 개시하였으며, 2026 연말 혹은 내년 상반기 창신메모리의 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 글로벌 시장 점유율은 2026년 1분기 7.7% 로 세계 4위에 올라섰습니다. www.ohmynews.com · 2026.07.03