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• 삼성, 로직 반도체도 3D로 쌓았다…VLSI 최고 논문 선정 반도체연구소 로직(Logic) TD팀의 '3차원 수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET, 42nm Gate Pitch)' 연구가 이달 미국에서 개최된 반도체 학회 VLSI(Very Large Scale Integration) 심포지엄에서 최고논문(Best Paper)으로 선정됐다고 17일 밝혔다. www.etnews.com · 2026.06.17