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산소 전용 통로 만든 3차원 메모리AI 반도체 성능 높인다
연구 배경 및 기술적 난제 3D 적층 메모리(
VCT
)의 필요성: 반도체 미세화 한계를 극복하기 위해 소자를 수직으로 쌓는 수직 채널 트랜지스터(
VCT
) 방식이 차세대 고집적·저전력
AI
메모리로 주목받고 있습니다.
blog.naver.com · 2026.08.20