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- [반도체 라이징 스타]오피뉴로, 초저전력 뉴로모픽 AI 칩 개발 회사는 초저전력 뉴로모픽 AI 프로세서 'N260' 시리즈를 개발 중이다. 나아가 기존 M램 한계를 넘어선 DX-M램(DX-TR기반 M램) 기반 차세대 AI 반도체를 앞세워 글로벌
- 실리콘랩스, 초저전력 블루투스 LE SoC 'BG2B' 공개 [지디넷코리아]저전력 무선 연결 솔루션 기업 실리콘랩스가 전력효율과 통합성을 높인 차세대 블루투스 LE(Bluetooth Low Energy) 무선 시스템 온 칩(SoC)를 선보였다.실리콘랩스는 자사 차세대 시리즈2 블루투스 LE SoC 'BG2B'를 6일 발표했다.BG2B는 듀얼 출력
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아이디어스투실리콘, 중기부 ‘글로벌 팁스’ 선정… 초저전력 군용 드론 AI 반도체 개발
이번 과제는 군용 드론의 실시간 영상 분석과 고신뢰 무선 통신 기능을 초저전력 단일 반도체(SoC) 하나로 통합하는 프로젝트다. 아이디어스투실리콘이 개발하는 반도체는 자체 개발한 초저전력 NPU 구조(NN2.0)를 적용한다.
- 삼성 4나노 주역 "초저전력 기술로 HBM4 성능 높였다" 3차원 핀펫(FinFET) 기반 초저전력 반도체 공정을 개발한 삼성전자 엔지니어가 올해 대한민국 엔지니어상을 수상했다.
- '4나노 초저전력 공정' 삼성 최정민 PL, 대한민국 엔지니어상 수상 최 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반의 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 개발한 공로를 인정받아 지난 3월 과학기술정보통신부가 주최하고 한국산업기술진흥협회가 주관하는 그는 반도체 소자의 공정과 레이아웃(설계)을 최적화해 전력 소모를 줄이면서도 성능을 높이는 초저전력 공정
- "초저전력 4나노 기술로 HBM4 성능 높였다"…'韓 엔지니어상' 영예 3차원 핀펫(FinFET) 기반 초저전력 반도체 공정을 개발한 삼성전자 엔지니어가 올해 대한민국 엔지니어상을 수상했다.
- 삼성 ‘HBM4 성공’ 숨은 주역 최정민 “4나노 초저전력 공정 기술로 HBM4 양산화” “메모리 양산 경험과 파운드리 맞춤형 기술 개발 등 현장에서 배운 모든 경험이 좋은 양분이 됐습니다.” 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 개발해 인공지능(AI) 시대의 핵심
- MDT, CGM 기기서 2년 이상 대기 작동 지원하는 초저전력 자기 스위치 IC TMR1370 출시 [지디넷코리아] — 최대 공급 전류 50nA의 차세대 초저전력 TMR 자기 스위치로 검증된 MDT CGM 센서 포트폴리오 확대 장자강, 중국 (MDT)가 연속 혈당 측정(Continuous Glucose Monitoring, CGM) 기기용 자기 센서 포트폴리오의 최신 제품인 초저전력 자기 스위치 IC TMR1370을 출시했다
- 포커스에이아이, 딥엑스와 국산 NPU 기반 AI 서버 양산 협약 체결 [서울=뉴스핌] 이나영 기자= 포커스에이아이가 초저전력 인공지능(AI) 반도체 기업 딥엑스와 NPU 기반 자체 설계 AI 서버 양산 협약을 체결했다고 30일 밝혔다.
- [스냅드래곤 서밋]퀄컴, AI 대응한 스냅드래곤 사운드 엘리트 2세대 공개 플랫폼은 프리미엄 스냅드래곤 사운드 기술과 온디바이스 AI, 보안 중심의 클라우드 연동 AI 기능, 통합 초저전력 와이파이 6E를 결합했다.
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