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- 이황화몰리브덴 반도체 소자 고성능화 공정기술 개발 이황화몰리브덴 소재 2차원 반도체를 나노미터급 금속막으로 보호해 소자 성능을 10배 높일 수 있는 공정이 개발됐다. 울산과학기술원(UNIST)은 김명수 전기전자공학과 교수팀과 김병조 반도체소재·부품대학원 교수팀(이하 김 교수팀)이 이황화몰리브덴(MoS₂) 표면에 얇은 금속막을 입혀 포토레지스트 찌꺼기가
- 2차원 반도체 손상 없이 선택 도핑…KAIST, 저전압 성능 최대 260배 향상 한국연구재단은 최성율·김용훈·강기범 한국과학기술원(KAIST) 교수 공동연구팀이 초박막 이중 보호층을 활용해 이황화몰리브덴(MoS2) 2차원 반도체를 보호하면서 필요한 영역에 선택적으로
- 연구재단 "필요한 곳만 도핑, 2차원 반도체 성능 260배↑" 한국연구재단은 한국과학기술원(KAIST) 최성율·김용훈·강기범 교수 공동연구팀이 2㎚ 두께의 초박막 이중 보호층을 활용해 이황화몰리브덴(MoS₂) 2차원 반도체에 선택적으로 고농도
- 단국대, AI 반도체용 RRAM 안정성 높이는 공정기술 개발 성과 단국대는 홍웅기 융합반도체공학과 교수 연구팀이 이황화몰리브덴(MoS₂) 기반 RRAM에서 전도성 필라멘트 형성을 제어하는 기술을 확보했다고 16일 밝혔다.
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- TSMC와 연구진, 에피택셜 계면 엔지니어링으로 2D 반도체 병목 현상 극복 인용하여, TSMC의 이울리아나 라두(Iuliana Radu) 박사 연구팀이 국립 양밍차오퉁대학교(NYCU)와 공동으로 2D 반도체의 오랜 계면 문제를 해결하여 고성능 단층 이황화몰리브덴
- 0.42나노미터 원자 인터페이스 공학으로 실리콘을 넘어서는 트랜지스터의 길을 열다 이들은 이차원 반도체인 단층 이황화몰리브덴(MoS₂)과 게이트 절연막 사이의 원자 경계를 정밀하게 제어함으로써, 매우 얇은 유전체를 적용하면서도 전자의 이동성을 높게 유지하는 트랜지스터를
- 초박형 소재 적층 구조를 만드는 새로운 기술이 양자역학적 혁신을 가져올 것으로 기대된다 그래핀, 이황화몰리브덴(MoS₂), 육방정 질화붕소(hBN) 등 원자 한두 개 두께의 초박형 소재들은 3차원 일반 물질과 달리 평면 구조에서 특유의 독특한 양자역학적 특성을 나타냅니다
- KAIST 전기가 막힘없이 흐르는 2차원 반도체 구조 입증 물리적 한계를 극복할 미세 공정의 돌파구로 평가받는 이번 연구의 핵심 메커니즘과 가치는 다음과 같습니다. 1. 2차원 반도체의 치명적 난제: 원자 수준의 전하 장벽 그래핀이나 이황화몰리브덴
- ‘꿈의 반도체’ 찾는 일 사람 대신 자동화 성큼 연구팀은 차세대 초저전력·고성능 AI 반도체의 핵심 소재인 2차원 반도체(예: 그래핀, 이황화몰리브덴 등 원자 두께의 얇은 층상 구조 소재) 연구 공정을 완전히 자동화했습니다.
- 세계에서 가장 얇은 전기 발전기 반도체 소자의 대체 물질인 이황화몰리브덴 (MoS2)을 적용했으며 물질을 오른쪽 방향으로 신축하고 압력을 가하면 전력 생산이 가능하다.